Транзистор MT1100 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MT1100. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
110V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
165єC
Граничная частота (Fгр)
30MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
8
Коэффициент усиления (hFE)
20MIN
Производитель
MCE
Искать MT1100 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее