Транзистор NB113HJ npn

Справочные характеристики биполярного транзистора NB113HJ. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
600mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
70V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
65V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
100MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
4
Коэффициент усиления (hFE)
200MIN
Производитель
NSC
Применение
Low Power, General Purpose
Искать NB113HJ в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее