Транзистор OC309 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора OC309. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 110mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 10V
Ток коллектора (Iк): 250mA
Температура перехода (Tj): 80єC
Граничная частота (Fгр): 200KHz
Коэффициент усиления (hFE): 50T
Производитель: N/A

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.