Транзистор OC81N pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора OC81N. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 32V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 18V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 10V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 80єC
Граничная частота (Fгр): 1MHz
Коэффициент усиления (hFE): 50MIN
Производитель: NWM

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.