Транзистор PBF259S npn

Справочные характеристики биполярного транзистора PBF259S. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
625mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
300V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
300V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
50M
Ёмкость коллектора (Cк)
3
Коэффициент усиления (hFE)
60MIN
Производитель
MOTOROLA
Искать PBF259S в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее