Транзистор PTB20081 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора PTB20081. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 233W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 65V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 40V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 4V
- Ток коллектора (Iк)
- 12A
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 470MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 25
- Коэффициент усиления (hFE)
- 20/100
- Производитель
- ERICSSON
Искать PTB20081 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.