Транзистор PTB20097 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора PTB20097. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 175W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Ток коллектора (Iк): 10A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 915MHz
Коэффициент усиления (hFE): 20/100
Производитель: ERICSSON

Искать PTB20097 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.