Транзистор PTB20146 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора PTB20146. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 5.4W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 1.8GHz
Коэффициент усиления (hFE): 40T
Производитель: ERICSSON

Искать PTB20146 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.