Транзистор PTB20159 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора PTB20159. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
25W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
55V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
600mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
850MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
6.2
Коэффициент усиления (hFE)
30/150
Производитель
ERICSSON
Искать PTB20159 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее