Транзистор PTB20176 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора PTB20176. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
21W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
45V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
1.7GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
7
Коэффициент усиления (hFE)
20/120
Производитель
ERICSSON
Искать PTB20176 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее