Транзистор PTB20193 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора PTB20193. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 233W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 55V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 55V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Ток коллектора (Iк): 8A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 1.8GHz
Коэффициент усиления (hFE): 20/120
Производитель: ERICSSON

Искать PTB20193 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.