Транзистор RCP111B npn

Справочные характеристики биполярного транзистора RCP111B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 6.25W
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 250V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 7V
Ток коллектора (Iк): 150mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 40MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 2.3
Коэффициент усиления (hFE): 50/300
Производитель: GENERAL SEMI

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.