Транзистор S1299 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора S1299. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 12W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 2200V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 800V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 5A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 2MHz
Производитель: TOSHIBA

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.