Транзистор S416T pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора S416T. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
25V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
25mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
550MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
0.4
Коэффициент усиления (hFE)
50MIN
Производитель
TELEFUNKEN
Искать S416T в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее