Транзистор S662T npn

Справочные характеристики биполярного транзистора S662T. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 450mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 3V
Ток коллектора (Iк): 20mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 800MHz
Коэффициент усиления (hFE): 20MIN
Производитель: TELEFUNKEN

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.