Транзистор SGSD200 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора SGSD200. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 130W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 80V
Ток коллектора (Iк): 25A
Температура перехода (Tj): 175єC
Коэффициент усиления (hFE): 300MIN
Производитель: STE
Применение: Darlington, Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.