Транзистор TD13004D-SMD npn

Справочные характеристики биполярного транзистора TD13004D-SMD. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
30W
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
300V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
9V
Ток коллектора (Iк)
4A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
4MHz
Коэффициент усиления (hFE)
10MIN
Производитель
TELEFUNKEN
Применение
High Voltage Switching Transistor
Искать TD13004D-SMD в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее