Транзистор TEC8012E pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора TEC8012E. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
625mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
150MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
7
Коэффициент усиления (hFE)
78/112
Производитель
TOSHIBA
Искать TEC8012E в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее