Транзистор TN835 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора TN835. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 350mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 25V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 20V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 3V
- Ток коллектора (Iк)
- 200mW
- Температура перехода (Tj)
- 135єC
- Граничная частота (Fгр)
- 300MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 4
- Коэффициент усиления (hFE)
- 20MIN
- Производитель
- NSC
- Применение
- VHF, Low Power, Switching
Искать TN835 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.