Транзистор TRR50-10 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора TRR50-10. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
350W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
1000V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
7V
Ток коллектора (Iк)
50A
Температура перехода (Tj)
150єC
Коэффициент усиления (hFE)
100MIN
Производитель
LTE
Применение
Power, Switching
Искать TRR50-10 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее