Транзистор UN1116R pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора UN1116R. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 400mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 50V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 50V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 6V
- Ток коллектора (Iк)
- 100mA
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 80MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 210MIN
- Производитель
- MATSUSHITA
- Применение
- Digital, Internal Rezistors R1=4.7K
Искать UN1116R в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.