Транзистор UN1214 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора UN1214. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
400mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
80MHz
Коэффициент усиления (hFE)
80MIN
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Digital, Internal Rezistors R1=10K,R2=74K
Искать UN1214 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее