Транзистор UN5210Q npn
Справочные характеристики биполярного транзистора UN5210Q. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 150mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 50V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 50V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 6V
- Ток коллектора (Iк)
- 100mA
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 150MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 160MIN
- Производитель
- MATSUSHITA
- Применение
- Digital, Internal Rezistors R1=47K
Искать UN5210Q в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.