Транзистор ZBD857 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора ZBD857. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
25W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
330V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
300V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
3A
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
80MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
11
Коэффициент усиления (hFE)
100MIN
Производитель
ZETEX
Искать ZBD857 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее