IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247

IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247

Новинка
Код товара
133152
Бренд
JSMSEMI
Артикул производителя
IRGP4063DPBF (JSMSEMI)
Раздел
Транзисторы / IGBT транзисторы
Наличие
225 шт.
Розница
576,00 ₽
Опт
383,00 ₽

Описание

IRGP4063DPBF IGBT транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-247. Напряжение КЭ Vces 650 В. Ток коллектора Ic 100 А (при Tc=25C). Напряжение насыщения КЭ Vce(sat) 1.65 В (Ic=50 А, Tj=25C). Общие потери на переключение 2.6 мДж.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее