Транзистор 2G109 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2G109. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
140mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
16V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
14V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
2V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
100єC
Граничная частота (Fгр)
3MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
22
Коэффициент усиления (hFE)
55T
Производитель
STE
Применение
Low Power, Switching, High Frecvency

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2G109 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее