Транзистор 2G602 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2G602. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
90єC
Граничная частота (Fгр)
10MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
12
Коэффициент усиления (hFE)
20MIN
Производитель
TADIRAN
Применение
RF, Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2G602 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее