Транзистор 2N1017 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N1017. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
10V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
20V
Ток коллектора (Iк)
400mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
10MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
24
Коэффициент усиления (hFE)
70MIN
Производитель
CSR
Применение
Medium Power, Switching, High Frequency
Искать 2N1017 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее