Транзистор 2N1120 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2N1120. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 90W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 80V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 80V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 40V
- Ток коллектора (Iк)
- 15A
- Температура перехода (Tj)
- 95єC
- Граничная частота (Fгр)
- 75KHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 20/50
- Производитель
- MOTOROLA
- Применение
- High Power, High Voltage, General Purpose
Аналоги
В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать 2N1120 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.