Транзистор 2N1175 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N1175. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
35V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
1MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
50
Коэффициент усиления (hFE)
70/140
Производитель
GEN
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 4 из 4. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N1175 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее