Транзистор 2N1496 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N1496. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
2V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
100єC
Граничная частота (Fгр)
150MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
7
Коэффициент усиления (hFE)
20MIN
Производитель
MOTOROLA
Применение
VHF, Medium Power, Switching

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N1496 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее