Транзистор 2N159 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N159. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
80mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
40V
Ток коллектора (Iк)
10mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
1MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
20
Коэффициент усиления (hFE)
3T
Производитель
SPRAGUE
Применение
Low Power, Switching, High Frecvency

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N159 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее