Транзистор 2N3515 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N3515. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
350mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
50MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
18
Коэффициент усиления (hFE)
50/200
Производитель
GEN
Применение
Dual
Искать 2N3515 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее