Транзистор 2N3859A npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N3859A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
360mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
90MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
10
Коэффициент усиления (hFE)
100MIN
Производитель
GEN
Применение
RF, Low Power

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N3859A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее