Транзистор 2N5100 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N5100. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
10W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
450V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
400V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
20MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
20
Коэффициент усиления (hFE)
20/200
Производитель
SIEMENS
Применение
RF, Medium Power, High Voltage
Искать 2N5100 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее