Транзистор 2N5175 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N5175. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 130V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 25mA
Температура перехода (Tj): 125єC
Коэффициент усиления (hFE): 55MIN
Производитель: GEN
Применение: Low Power, Medium Voltage, General Purpose

Аналоги

2N1990R 2N5551 BSX21 ECG194 P308

В справочнике: 5 из 5. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.