Транзистор 2N5415S pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N5415S. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
1W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
200V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
200V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
115MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
15
Коэффициент усиления (hFE)
30/150
Производитель
STE
Применение
RF, Medium Power, High Voltage

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N5415S в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее