Транзистор 2N5550 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора 2N5550. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 310mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 160V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 140V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 6V
- Ток коллектора (Iк)
- 600mA
- Температура перехода (Tj)
- 135єC
- Граничная частота (Fгр)
- 100MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 6
- Коэффициент усиления (hFE)
- 80/250
- Производитель
- MOTOROLA
- Применение
- RF, Medium Power, High Voltage
Аналоги
В справочнике: 2 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать 2N5550 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.