Транзистор 2N596 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора 2N596. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 150mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 20V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 10V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 20V
- Ток коллектора (Iк)
- 300mA
- Температура перехода (Tj)
- 100єC
- Граничная частота (Fгр)
- 4MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 50MIN
- Производитель
- GI
- Применение
- RF, Medium Power, Darlington
Аналоги
В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать 2N596 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.