Транзистор 2N755 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора 2N755. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 300mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 100V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 100V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 3V
- Ток коллектора (Iк)
- 50mA
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 20MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 10
- Коэффициент усиления (hFE)
- 20/80
- Производитель
- IDC
- Применение
- RF, Low Power, High Voltage
Искать 2N755 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.