Транзистор 2N803 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N803. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
75mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
15V
Ток коллектора (Iк)
400mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
5MHz
Коэффициент усиления (hFE)
30/60
Производитель
RAYTHEON
Применение
Low Power, Switching, High Frecvency

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N803 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее