Транзистор 2N807 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N807. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
75mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
25V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
14V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
14MHz
Коэффициент усиления (hFE)
40MIN
Производитель
RAYTHEON
Применение
Low Power, Switching, High Frecvency

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N807 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее