Транзистор 2N845 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N845. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
25MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
12
Коэффициент усиления (hFE)
40/120
Производитель
RAYTHEON
Применение
Low Power, Medium Voltage, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 4 из 4. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N845 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее