Транзистор 2S451 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2S451. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
12V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
6V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
1V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
250MHz
Коэффициент усиления (hFE)
60/150
Производитель
FUJITSU
Применение
Ultra High Frequency, Switching

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2S451 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее