Транзистор 2SAB26N pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SAB26N. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
10W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
45V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
1.5A
Температура перехода (Tj)
125єC
Коэффициент усиления (hFE)
34/115
Производитель
TOSHIBA
Применение
Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SAB26N в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее