Транзистор 2SB171 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB171. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 125mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 6V
Ток коллектора (Iк): 10mA
Температура перехода (Tj): 75єC
Граничная частота (Fгр): 200KHz
Коэффициент усиления (hFE): 50T
Производитель: MATSUSHITA
Применение: Low Power, Low Noise, General Purpose

Аналоги

2N1176A 2SB135 2SB186 AC125 MP40A

В справочнике: 5 из 5. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.