Транзистор 2SB277 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB277. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
80mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
15V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
10mA
Температура перехода (Tj)
75єC
Коэффициент усиления (hFE)
50MIN
Производитель
FUJITSU
Применение
Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB277 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее