Транзистор 2SB324 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB324. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
32V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
750KHz
Коэффициент усиления (hFE)
90T
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 4 из 4. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB324 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее