Транзистор 2SB379 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB379. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
180mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
18V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
16V
Ток коллектора (Iк)
150mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
1.3MHz
Коэффициент усиления (hFE)
85T
Производитель
SONY
Применение
Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB379 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее