Транзистор 2SB389 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB389. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
80mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
12V
Ток коллектора (Iк)
10mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
3MHz
Коэффициент усиления (hFE)
100T
Производитель
FUJITSU
Применение
Low Power, Low Noise, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB389 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее